TEM study of the interface of anodic-bonded Si/glass

Q. F. Xing*, M. Yoshida, G. Sasaki

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抄録

Transmission electron microscopy (TEM) was used to study the interfacial microstructures of anodic-bonded Si/glass. The anodic bonding mechanism, in which oxygen diffused into silicon from a sodium-depleted region, was analyzed. Amorphous silicon oxide was formed during diffusion that accounted for the bond formation. The ion-migrating processes within the sodium-depleted region was found to be complicated.

本文言語English
ページ(範囲)577-582
ページ数6
ジャーナルScripta Materialia
47
9
DOI
出版ステータスPublished - 2002 11 1
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