Temperature effects in reverse-type avalanche photodiodes

Mitsuhiro Sato, Takayuki Yanagida, Akira Yoshikawa, Yoichi Yatsu, Jun Kataoka, Fumio Saito

研究成果: Conference contribution

2 被引用数 (Scopus)

抄録

These The present paper shows ionization coefficient ratios, k-values, k1 and keff, of reverse-type Si avalanche photodiode. Both of keff and k1, tend to increase when APDs are cooled down. The results for keff are 0.0023 ± 0.0002 at 20 °C, 0.0027 ± 0.0003 at 0 °C, and 0.0049 ±0.0007 at -20 °C. With the result of k1, temperature dependency of k-values Indicates mean free paths of the carriers for phonon scattering shows different temperature dependency, which is considered to reflect the inner structure of APDs.

本文言語English
ホスト出版物のタイトル2007 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference, NSS-MIC
ページ1491-1493
ページ数3
DOI
出版ステータスPublished - 2007
外部発表はい
イベント2007 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference, NSS-MIC - Honolulu, HI, United States
継続期間: 2007 10 272007 11 3

出版物シリーズ

名前IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record
2
ISSN(印刷版)1095-7863

Conference

Conference2007 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference, NSS-MIC
国/地域United States
CityHonolulu, HI
Period07/10/2707/11/3

ASJC Scopus subject areas

  • 放射線
  • 核物理学および高エネルギー物理学
  • 放射線学、核医学およびイメージング

フィンガープリント

「Temperature effects in reverse-type avalanche photodiodes」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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