抄録
We fabricated laser diodes containing highly stacked InAs quantum dots using the strain compensation technique. We analyzed the characteristic temperature and found that it increased with increasing number of stacking layers.
本文言語 | English |
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論文番号 | 6348369 |
ページ(範囲) | 82-83 |
ページ数 | 2 |
ジャーナル | Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference |
DOI | |
出版ステータス | Published - 2012 12月 11 |
外部発表 | はい |
イベント | 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference, ISLC 2012 - San Diego, CA, United States 継続期間: 2012 10月 7 → 2012 10月 10 |
ASJC Scopus subject areas
- 原子分子物理学および光学
- 電子工学および電気工学