The dependence of the characteristic temperature of highly stacked InAs quantum dot laser diodes fabricated using a strain-compensation technique on stacking layer number

Kouichi Akahane*, Naokatsu Yamamoto, Tetsuya Kawanishi

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抄録

We fabricated laser diodes containing highly stacked InAs quantum dots using the strain compensation technique. We analyzed the characteristic temperature and found that it increased with increasing number of stacking layers.

本文言語English
論文番号6348369
ページ(範囲)82-83
ページ数2
ジャーナルConference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference
DOI
出版ステータスPublished - 2012 12 11
外部発表はい
イベント23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference, ISLC 2012 - San Diego, CA, United States
継続期間: 2012 10 72012 10 10

ASJC Scopus subject areas

  • 原子分子物理学および光学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「The dependence of the characteristic temperature of highly stacked InAs quantum dot laser diodes fabricated using a strain-compensation technique on stacking layer number」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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