The Impact of High Pressure Dry O2 Oxidation on Sub-Quarter Micron Planarized LOCOS

T. Yamashita, T. Kuroi, T. Uchida, S. Komori, K. Kobayashi, M. Inuishi, H. Miyoshi

研究成果: Conference article査読

2 被引用数 (Scopus)

抄録

Recessed LOCOS isolation using high pressure dry 0 2 oxidation has been studied. The effect of the high pressure dry O2 oxidation on the birds beak encroachment was clarified. This advanced LOCOS process was found to provide superior gate oxide integrity and junction characteristics. It meets the required isolation characteristics for 256 Mbit DRAM and beyond with maintaining the process simplicity.

本文言語English
ページ(範囲)821-824
ページ数4
ジャーナルTechnical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM
DOI
出版ステータスPublished - 1996
外部発表はい
イベントProceedings of the 1996 IEEE International Electron Devices Meeting - San Francisco, CA, USA
継続期間: 1996 12月 81996 12月 11

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学
  • 材料化学

フィンガープリント

「The Impact of High Pressure Dry O2 Oxidation on Sub-Quarter Micron Planarized LOCOS」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル