Theoretical analysis of polarization sensitivity of strained bulk SOAs

T. Kakitsuka*, Y. Shibata, M. Itoh, Y. Tohmori, Y. Yoshikuni

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抄録

The polarization dependence of 1.55-μm SOAs based on tensile strained bulk InGaAsP is analyzed numerically, focusing on their wavelength and gain dependence. We demonstrate that strained bulk SOAs are applicable for a wide range of carrier density and wavelength. The gain spectra are calculated based on the k·p method, and the carrier-density and wavelength dependence of the gain is evaluated. We demonstrate that the optimization enables us to make SOAs whose gain polarization sensitivity is within 1 dB under a 20-dB gain in a 60-nm bandwidth in real devices.

本文言語English
ページ(範囲)398-405
ページ数8
ジャーナルProceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
4283
DOI
出版ステータスPublished - 2001 1月 1
外部発表はい
イベントPhysics and Simulation of Optoelectronic Devices IX - San Jose, CA, United States
継続期間: 2001 1月 222001 1月 26

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • コンピュータ サイエンスの応用
  • 応用数学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Theoretical analysis of polarization sensitivity of strained bulk SOAs」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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