Tunnel junctions on as-grown MgB2 films

Kenji Ueda*, Michio Naito

*この研究の対応する著者

研究成果: Conference article査読

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抄録

We prepared MgB2 films by coevaporation of pure Mg and B metals in an ultra high vacuum chamber. These films have c-axis orientation and a slightly depressed Tc (∼ 35 K). We fabricated various tunnel junctions (SIN and SIS) using these as-grown MgB2 films. Of these, Au/MgO/MgB2 junctions showed typical SIN characteristics with a clear superconducting gap of Δ ∼ 2.5 meV. This gap value may correspond to the smaller gap in the multi-gap scenario. Preliminary MgB2/Al 2O3/MgB2 junctions exhibited SIS characteristics, although not ideal, with a similar value of Δ.

本文言語English
ページ(範囲)134-135
ページ数2
ジャーナルPhysica C: Superconductivity and its applications
408-410
1-4
DOI
出版ステータスPublished - 2004 8月
外部発表はい
イベントProceedings of the International Conference on Materials - Rio de Janeiro, Brazil
継続期間: 2003 5月 252003 5月 30

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • エネルギー工学および電力技術
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Tunnel junctions on as-grown MgB2 films」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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