抄録
An ultra-low threshold current of 24 μA was achieved for an electrically-driven photonic crystal nanocavity laser with an InAlAs sacrificial layer to reduce leakage current under continuous-wave operation at room temperature.
本文言語 | English |
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論文番号 | 6348388 |
ページ(範囲) | 169-170 |
ページ数 | 2 |
ジャーナル | Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference |
DOI | |
出版ステータス | Published - 2012 |
外部発表 | はい |
イベント | 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference, ISLC 2012 - San Diego, CA, United States 継続期間: 2012 10月 7 → 2012 10月 10 |
ASJC Scopus subject areas
- 原子分子物理学および光学
- 電子工学および電気工学