Ultra-low threshold current CW operation of photonic crystal nanocavity laser with InAlAs sacrificial layer

Tomonari Sato*, Koji Takeda, Akihiko Shinya, Kengo Nozaki, Hideaki Taniyama, Koichi Hasebe, Takaaki Kakitsuka, Masaya Notomi, Shinji Matsuo

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抄録

An ultra-low threshold current of 24 μA was achieved for an electrically-driven photonic crystal nanocavity laser with an InAlAs sacrificial layer to reduce leakage current under continuous-wave operation at room temperature.

本文言語English
論文番号6348388
ページ(範囲)169-170
ページ数2
ジャーナルConference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference
DOI
出版ステータスPublished - 2012
外部発表はい
イベント23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference, ISLC 2012 - San Diego, CA, United States
継続期間: 2012 10 72012 10 10

ASJC Scopus subject areas

  • 原子分子物理学および光学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Ultra-low threshold current CW operation of photonic crystal nanocavity laser with InAlAs sacrificial layer」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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