Ultra-Low Voltage and Ultra-Low Power Consumption Nonvolatile Operation of a Three-Terminal Atomic Switch

Qi Wang, Yaomi Itoh, Tohru Tsuruoka, Masakazu Aono, Tsuyoshi Hasegawa

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抄録

Nonvolatile three-terminal operation, with a very small range of bias sweeping (-80 to 250 mV), a high on/off ratio of up to six orders of magnitude, and a very small gate leakage current (<1 pA), is demonstrated using an Ag (gate)/Ta2O5 (ionic transfer layer)/Pt (source), Pt (drain) three-terminal atomic switch structure.

本文言語English
ページ(範囲)6029-6033
ページ数5
ジャーナルAdvanced Materials
27
39
DOI
出版ステータスPublished - 2015 10 1

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  • 材料科学(全般)
  • 材料力学
  • 機械工学

フィンガープリント

「Ultra-Low Voltage and Ultra-Low Power Consumption Nonvolatile Operation of a Three-Terminal Atomic Switch」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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