Ultrafast Spin Relaxation in InGaAs/InP Quantum Wells for Femtoseconds Switch Applications

Atsushi Tackeuchi, Osamu Wada, Yuji Nishikawa

研究成果: Conference contribution

抄録

The electron spin-relaxation time of InGaAs/InP multiple-quantum wells has been measured to be 5.2 ps for 1.54-μm excitonic absorption. This is an order of magnitude faster than in GaAs quantum wells indicating the possibility of femtoseconds all-optical gate operation in the long-wavelength region.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルUltrafast Electronics and Optoelectronics, UEO 1997
出版社Optica Publishing Group (formerly OSA)
ページ268-271
ページ数4
ISBN(電子版)9781557528209
出版ステータスPublished - 1997
イベントUltrafast Electronics and Optoelectronics, UEO 1997 - Incline Village, United States
継続期間: 1997 3月 171997 3月 17

出版物シリーズ

名前Optics InfoBase Conference Papers

Conference

ConferenceUltrafast Electronics and Optoelectronics, UEO 1997
国/地域United States
CityIncline Village
Period97/3/1797/3/17

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 材料力学

フィンガープリント

「Ultrafast Spin Relaxation in InGaAs/InP Quantum Wells for Femtoseconds Switch Applications」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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