Ultralow-voltage operation of Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) 2Mbit SRAM down to 0.37 v utilizing adaptive back bias

Y. Yamamoto, H. Makiyama, H. Shinohara, T. Iwamatsu, H. Oda, S. Kamohara, N. Sugii, Y. Yamaguchi, T. Mizutani, T. Hiramoto

研究成果: Conference contribution

14 被引用数 (Scopus)

抄録

We demonstrated record 0.37V minimum operation voltage (Vmin) of 2Mb Silicon-on-Thin-Buried-oxide (SOTB) 6T-SRAM. Thanks to the small variability of SOTB (AVT∼1.3 mVμm) and adaptive back biasing (ABB), Vmin was lowered down to ∼0.4 V regardless of temperature. Both fast access time and small standby leakage were achieved by ABB.

本文言語English
ホスト出版物のタイトル2013 Symposium on VLSI Circuits, VLSIC 2013 - Digest of Technical Papers
ページT212-T213
出版ステータスPublished - 2013
外部発表はい
イベント2013 Symposium on VLSI Circuits, VLSIC 2013 - Kyoto, Japan
継続期間: 2013 6 122013 6 14

出版物シリーズ

名前IEEE Symposium on VLSI Circuits, Digest of Technical Papers

Other

Other2013 Symposium on VLSI Circuits, VLSIC 2013
国/地域Japan
CityKyoto
Period13/6/1213/6/14

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Ultralow-voltage operation of Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) 2Mbit SRAM down to 0.37 v utilizing adaptive back bias」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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