Ultraviolet and blue holographic lithography of ZnSe epilayers and heterostructures with feature size to 100 nm and below

W. Walecki*, W. R. Patterson, A. V. Nurmikko, H. Luo, N. Samarth, J. K. Furdyna, M. Kobayashi, S. Durbin, R. L. Gunshor

*この研究の対応する著者

研究成果: Article査読

28 被引用数 (Scopus)

抄録

We have employed short-wavelength holographic laser lithography and reactive ion etching to define wire and dot-like patterns in ZnSe thin epitaxial films and heterostructures with spatial feature size to better than 100 nm. Photoluminescence measurements suggest that surface damage from etching may be much less severe than in III-V semiconductors.<hedend>.

本文言語English
ページ(範囲)2641-2643
ページ数3
ジャーナルApplied Physics Letters
57
25
DOI
出版ステータスPublished - 1990
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 物理学および天文学(その他)

フィンガープリント

「Ultraviolet and blue holographic lithography of ZnSe epilayers and heterostructures with feature size to 100 nm and below」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル