Voltage-driven distribution of gate oxide breakdown

A. Hiraiwa*, S. Sakai, D. Ishikawa

*この研究の対応する著者

研究成果: Conference contribution

2 被引用数 (Scopus)

抄録

Voltage-driven distribution of gate oxide breakdown was studied. The samples considered were NMOS capacitors with wet oxides thermally grown on p-type epitaxial substrates. It was found that the distribution of gate oxide breakdown depends on gate voltage and not on the oxide thickness.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルAnnual Proceedings - Reliability Physics (Symposium)
ページ582-583
ページ数2
出版ステータスPublished - 2003
外部発表はい
イベント2003 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings - Dallas, TX, United States
継続期間: 2003 3 302003 4 4

Other

Other2003 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings
国/地域United States
CityDallas, TX
Period03/3/3003/4/4

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学
  • 安全性、リスク、信頼性、品質管理

フィンガープリント

「Voltage-driven distribution of gate oxide breakdown」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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