Wavelength tunability of highly stacked quantum dot laser fabricated by a strain compensation technique

Kouichi Akahane, Naokatsu Yamamoto, Tetsuya Kawanishi

研究成果: Conference contribution

3 被引用数 (Scopus)

抄録

We fabricated laser diodes containing highly stacked InAs quantum dots using the strain compensation technique, which showed laser emissions from 1.47 to 1.7 μm above the threshold current in pulsed mode.

本文言語English
ホスト出版物のタイトル2010 22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference, ISLC 2010
ページ37-38
ページ数2
DOI
出版ステータスPublished - 2010 12 1
外部発表はい
イベント2010 IEEE 22nd International Semiconductor Laser Conference, ISLC 2010 - Kyoto, Japan
継続期間: 2010 9 262010 9 30

出版物シリーズ

名前Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference
ISSN(印刷版)0899-9406

Other

Other2010 IEEE 22nd International Semiconductor Laser Conference, ISLC 2010
CountryJapan
CityKyoto
Period10/9/2610/9/30

ASJC Scopus subject areas

  • Atomic and Molecular Physics, and Optics
  • Electrical and Electronic Engineering

フィンガープリント 「Wavelength tunability of highly stacked quantum dot laser fabricated by a strain compensation technique」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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