Worst-case analysis to obtain stable read/write DC margin of high density 6T-SRAM-array with local Vth variability

Yasumasa Tsukamoto*, Koji Nii, Susumu Imaoka, Yuji Oda, Shigeki Ohbayashi, Tomoaki Yoshizawa, Hiroshi Makino, Koichiro Ishibashi, Hirofumi Shinohara

*この研究の対応する著者

研究成果: Conference contribution

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抄録

6T-SRAM cells in the sub-100 nm CMOS generation are now being exposed to a fatal risk that originates from large local Vth variability (σ V_Local). To achieve high-yield SRAM arrays in presence of random σV_Local component, we propose worst-case analysis that determines the boundary of the stable Vth region for the SRAM read/write DC margin (Vth curve). Applying this to our original 65 nm SPICE model, we demonstrate typical behavior of the Vth curve and show new criteria for discussing SRAM array stability with Vth variability.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルProceedings of theICCAD-2005
ホスト出版物のサブタイトルInternational Conference on Computer-Aided Design
ページ398-405
ページ数8
DOI
出版ステータスPublished - 2005 12 1
外部発表はい
イベントICCAD-2005: IEEE/ACM International Conference on Computer-Aided Design, 2005 - San Jose, CA, United States
継続期間: 2005 11 62005 11 10

出版物シリーズ

名前IEEE/ACM International Conference on Computer-Aided Design, Digest of Technical Papers, ICCAD
2005
ISSN(印刷版)1092-3152

Other

OtherICCAD-2005: IEEE/ACM International Conference on Computer-Aided Design, 2005
国/地域United States
CitySan Jose, CA
Period05/11/605/11/10

ASJC Scopus subject areas

  • ソフトウェア
  • コンピュータ サイエンスの応用
  • コンピュータ グラフィックスおよびコンピュータ支援設計

フィンガープリント

「Worst-case analysis to obtain stable read/write DC margin of high density 6T-SRAM-array with local Vth variability」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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