Zinc-blende MnTe: Epilayers and quantum well structures

S. M. Durbin*, J. Han, O. Sungki, M. Kobayashi, D. R. Menke, R. L. Gunshor, Q. Fu, N. Pelekanos, A. V. Nurmikko, D. Li, J. Gonsalves, N. Otsuka

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抄録

Epilayers of the previously hypothetical zinc-blende MnTe have been grown by molecular beam epitaxy. Epitaxial layers (0.5 μm thick) of MnTe were characterized using x-ray diffraction and transmission electron microscopy; optical reflectance measurements indicate a band gap of ∼3.2 eV. A series of strained single quantum well structures was fabricated with zinc-blende MnTe forming the barrier to CdTe quantum well regions; photoluminescence spectra indicate optical transitions corresponding to strong electron and hole confinement.

本文言語English
ページ(範囲)2087-2089
ページ数3
ジャーナルApplied Physics Letters
55
20
DOI
出版ステータスPublished - 1989
外部発表はい

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  • 物理学および天文学(その他)

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