ZnSe based multilayer pn junctions as efficient light emitting diodes for display applications

H. Jeon*, J. Ding, A. V. Nurmikko, W. Xie, M. Kobayashi, R. L. Gunshor

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抄録

pn junction characteristics and LED action in ZnSe-based multilayers grown by molecular beam epitaxy is demonstrated. In particular, we show that (Zn,Cd)Se/ZnSe/Zn(S,Se) structures containing (Zn,Cd)Se quantum wells, grown on p-type GaAs epilayers, and designed with a heavily doped n+-ZnSe top contact layer may be appropriate for display device applications in the blue-green portion of the spectrum.

本文言語English
ページ(範囲)892-894
ページ数3
ジャーナルApplied Physics Letters
60
7
DOI
出版ステータスPublished - 1992 12 1
外部発表はい

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  • 物理学および天文学(その他)

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